Growth of Zr-Doped YBCO Thin Films by Fluorine-Free MOD Process
梶岡 知彦 （千工大）； 熊谷 俊弥, 松井 浩明, 真部 高明 （産総研）； 五十嵐 香 （千工大）
Abstract:YBa2Cu3O7-δ（YBCO）膜のJc を向上させる方法として、これまでトリフルオロアセテート（TFA）を原料とする塗布熱分解（MOD）法において、人工磁束ピン止め点としてのBaZrO3ナノ粒子の導入が報告されている。しかし成膜過程で有害なフッ化水素を排出しないフッ素フリーMODにおいては、有効な人工磁束ピン止め点の導入技術は確立していない。本研究は、フッ素を含まない酢酸塩を原料とするMOD法で作製されるYBCO膜に対して、BaZrO3ナノ粒子を導入し、Jc を向上させることを目的として行った。YBCOの結晶性を損なわずにZrを導入する目的で、Zr添加／非添加多層膜を合成した。その結果、Zr添加層の膜厚を制御することで、JcがZr非添加膜に比べて向上することを見出した。これにより、フッ素フリーMOD法で作製したYBCO膜において、Zr添加が磁束ピン止め力の強化に有効である可能性を示唆した。