Pinning properties of MgB2 bulks at low temperature regions
木内 勝, 松下 照男 （九工大）； 山本 明保 （東大）； 淡路 智, 渡辺 和雄 （東北大）
Abstract:MgB2の臨界電流密度特性は作製手法や不純物添加などにより大きく変化することが知られている。本研究では高磁界領域で優れた臨界電流密度が得られるSiCとB4C添加に注目し、添加MgB2バルクの臨界電流密度及び上部臨界磁界を直流磁化測定と抵抗率測定から評価し、低温度領域の磁束ピンニング特性を調べた。