Effect by rolling on critical current density of SiC doped MgB2 wires
谷川 潤弥, 木内 勝, 小田部 荘司, 松下 照男 （九工大）； 川越 明史, 川畑 秋馬, 住吉 文夫 （鹿児島大）； 柳 長門, 三戸 利行 （NIFS）； 田中 和英, 和久田 毅 （日立）
Abstract:前回無添加MgB2線材に圧延を行い、線材の幅と厚さのアスペクト比の違いが臨界電流密度特性にどのように影響を与えるかを調べた。本研究ではSiCドープしたMgB2線材に対して、同様にアスペクト比を変化させ、SQUID磁力計を用いた磁化測定から臨界電流密度を評価し、SiC添加による特性への影響について調べた。