Suppresion of change of critical current of HTS dc-SQUID in magnetic field
廿日出 好, 小林 義幸, 黒澤 龍一, 田中 三郎 （豊橋技科大）
Abstract:本研究では、磁場変動に対するHTS dc-SQUIDの臨界電流変化抑制に関する研究について報告する。非破壊検査応用など、HTS dc-SQUIDを環境磁場中で移動させる際、一般的なバイクリスタル接合を用いたHTS dc-SQUIDの場合、40〜50μTの強度をもつ地磁気の不均一分布によりSQUIDの臨界電流が変化し、Flux locked loop(FLL)回路のロックを保つことは困難であった。そこで、磁場によるSQUIDの臨界電流変化を抑制するため、HTS薄膜をSQUIDリング上にフリップチップ構成で積層した。このSQUIDに磁場を印加して、その強度を変化させ、SQUIDの臨界電流値を測定した。HTS薄膜を積層しない場合、磁場強度の増大に従いSQUIDの臨界電流は減少し、磁場と臨界電流の関係はフラウンホーファーパターンを示した。一方、薄膜を積層した場合、SQUIDに印加される磁場の強度が約170μTを超えるまで臨界電流の変化が抑制された。また、この薄膜付きSQUIDを約40μTの地磁気中で回転させたところ、臨界電流が変化しないことがわかった。