Influence of layer thickness and growth temperature on in-field Jc in BaZrO3/YBa2Cu3Oy quasi-multilayered films
末吉 哲郎, 森 正吉, 土屋 啓介, 米倉 健志, 藤吉 孝則, 光木 文秋, 池上 知顯 （熊本大）
Abstract:BaZrO3を擬似層としたYBa2Cu3Oyとの擬似多層膜において，YBa2Cu3Oyの層厚や成膜温度によりBaZrO3ナノ粒子の導入の制御を試み，磁場中Jcに与える影響について調べた．
成膜温度780℃で作製した場合，測定温度77.3KにおけるJcの磁場角度依存性では，ランダムピンの振る舞いを示したが，測定温度65Kにおいては層厚が薄い試料ほどc軸方向にブロードなピークを示した．
一方，成膜温度810℃で作製した場合では，層厚が薄くなるにつれて77.3K, 65KのJcの磁場角度依存性において，c軸方向の顕著なピークが現れた．
これらの原因として，(1)YBCOの層厚が薄くなると，各層のBaZrO3ナノ粒子が膜厚方向に相関して配列しやすくなる，(2)成膜温度が低い場合には，BaZrO3付着原子の表面拡散距離が抑制されるために，BaZrO3ナノ粒子の空間分布はランダムになりやすいことが考えられる．