Development of Ga doped Nb3Sn multifilamentary wires - in order to improve strain tolerance -
竹内 孝夫 （NIMS）； 金子 俊輔 （足利工大）； 松本 厳 （徳島大）； 伴野 信哉, 吉田 勇二, 瀧川 博幸, 井上 廉 （NIMS）； 斎藤 栄 （足利工大）
Abstract:大型で高磁場を必要とする超伝導機器ではNb3Snのひずみ感受性の改善（鈍化）が求められているが、その指針が明確でない。その指針の参考となるのがNb3Alにおける鈍いひずみ感受性のメカニズムであろう。Nb3Alでは組成が化学量論比からずれて長範囲規則度がはじめから低いことが幸いし、優れた耐ひずみ性が得られると考えられている。我々は第三元素添加による長範囲規則度の低下に着眼し、Nb3Snのひずみ感受性の改善を試みている。GaとHfの同時添加がNb3Snの耐ひずみ性を改善した事例があるものの、ブロンズ法ではGaの添加した分Sn濃度を下げる必要があった。本研究では過去の経緯から高Snおよび高Ga銅合金粉末を利用する改良型パウダーインチューブ法の採用に至るまでを報告する。