Trapped field and critical current density of large MgB2 bulk fabricated by a capsule method
佐々木 智久, 内藤 智之, 藤代 博之 （岩手大）
Abstract: 前回の学会で、カプセル法により20mmφのMgB2バルクの作製と磁場中冷却着磁による捕捉磁場について報告した。本発表ではさらに30mmφ捕捉磁場及び捕捉磁場分布の温度依存性を新たに発表する。Beanモデルによると臨界電流密度Jcが一定の場合、30mmφのバルクの中心の捕捉磁場は20mmφのバルクに比べて1.5倍になるが、現状では約1.3倍にとどまった。この原因を探るため、バルクの部位ごとにJcの測定を行いその原因を検討する。また、パルス着磁の結果や、直径38mm MgB2大型バルクの捕捉磁場測定の結果も報告する。