Evaluation of grain-boundary current transport mechanism in HPCVD MgB2 films
山本 明保 （東大）； Putti Marina （CNR-SPIN, University of Genova）； Polyanskii Anatolii, 亀谷 文健, Abraimov Dmytro, Larbalestier David （NHMFL）； Gurevich Alexander （Old Dominion University）； Zhuang Chenggang, Xi Xiaoxing （Temple University）
Abstract:MgB2の結晶粒界における伝導機構を評価することを目的として、MgO(211)基板上にc軸が19度傾いたエピタキシャルMgB2薄膜をHPCVD(Hybrid Physical Chemical Vapor Deposition)法により作製した。この薄膜はチルト方向と垂直に発達した階段状のステップ構造を有し、ステップに対して平行方向にab面のみを流れるJLと、垂直方向にステップをまたいでab面とc軸粒界の両方を流れるJTの2種の異方的電流を生じる。本研究では輸送電流測定と磁気光学測定により2種の臨界電流を定量的に評価し、磁束ピンニングとマルチバンド効果がMgB2の結晶粒界における輸送特性に及ぼす影響について調べた。