Trapped field properties of rectangular shaped bulk with different arrange of growth sector boundaries (GSBs)
荒屋敷 貴大, 小山 允, 内藤 智之, 藤代 博之 （岩手大）； 手嶋 英一, 森田 充 （新日鐵）
Abstract:超電導バルクを磁場中冷却着磁法(FCM)で10T級の強磁場を捕捉させる場合、フープ力による破壊が懸念される。円盤形バルク体の破損は金属リングによる補強である程度は回避されるが、四角形状のバルクに対する検討は行われていなかった。本研究では、成長領域境界(GSB)の配置が異なる（十字型および×型）四角形超電導バルクに対して、パルス着磁(PFM)、ゼロ磁場冷却着磁(ZFC)、磁場中冷却着磁(FCM)を行い、捕捉磁場分布とGSBの位置の関係や、着磁法の違いによる破壊の有無について実験的に検討した。