Film growth of YBCO with BaZrO3 particles by TFA-MOD method
寺西 亮, 紺屋 和樹, 木須 隆暢, 山田 和広, 宗藤 伸治 （九大）； 吉積 正晃, 和泉 輝郎, 塩原 融 （ISTEC）
Abstract:磁場中でのJc特性向上を目的とし、BaZrO3ピン止め点の原料としてZr化合物塩を 溶解させた出発溶液を用いて溶液法(TFA-MOD法)によりBaZrO3を導入したYBCO膜 を作製した。YBCO膜の成長過程を調べた結果、BaZrO3はYBCOより低温で結晶化 し、更にYBCOの仮焼温度付近で温度保持する条件により低温でBaZrO3が生成する ことが示された。低温下で結晶化したBaZrO3粒は従来条件のそれより微細である 可能性があり、得られた膜のJc特性や膜組織の関係について現在調査中である。