TFA-MOD法によるBZOピン導入YGdBCO磁場中高Ic線材の開発(2)

Preparation of high Ic BZO doped YGdBCO coated conductor by TFA-MOD process (2)


高橋 保夫, 中岡 晃一, 高木 裕司, 吉積 正晃, 和泉 輝郎, 塩原 融 (ISTEC); 青木 伸夫, 長谷川 隆代 (昭和電線)


Abstract:TFA-MOD法は低コストかつ高性能な超電導層を作製可能な製造プロセスとして知られており、昭和電線において500m級のYBCO線材を作製したという報告がなされている。 しかしながら、MODにより作製したYBCO線材は磁場によるIc低下が比較的大きく磁場中特性の向上が必要とされてきた。 我々はこれまでYGdBCOにBZOピンを導入することによって磁場中特性向上について報告しており、前回は本焼成プロセス中に中間熱処理を施すことにより約1.5μm厚でIcmin=32A(77K,3T)が得られたことを報告した。 本発表では厚膜化及びBZOピン濃度の適正化により、さらなる磁場中特性の向上に成功し2.3μm厚試料でIcmin=41.5A(77K,3T)を得た。本研究は、イットリウム系超電導電力機器技術開発の研究として、新エネルギー産業技術開発機構(NEDO)の委託により実施したものである。