Dependence of V3 on misorientation angle of SrTiO3 bicrystal substrates in the third harmonic voltage method
沖田 健佑, 谷川 将志, 笠原 慎平, 畠中 裕宅, 末吉 哲郎, 藤吉 孝則 （熊本大）
Abstract: 結晶粒界などの臨界電流密度Jcを減少させる要因となる欠陥は，高温超伝導テープ線材開発において大きな問題のひとつである．そのため，この欠陥を非破壊・非接触で検出，評価する方法が必要となる．臨界電流密度Jcを非破壊・非接触で測定できる方法のひとつに，第三高調波電圧誘導法がある．この方法は微小なコイルに交流電流を流すことで，局所的な測定が可能である．
本報告では，傾斜角の異なる3枚のSrTiO3バイクリスタル基板(2θ = 10º，22.6º，36.8º)と単結晶SrTiO3基板にYBCO薄膜を作製し，第三高調波電圧誘導法を用いて，各薄膜のV3-I0特性を測定した．バイクリスタル基板上YBCO薄膜のV3-I0特性にV3の特徴的な2段階の立ち上がりを観測した．また，傾斜角の大きさや印加磁場に依存した各薄膜のV3の振る舞いについての測定結果を報告する。