Flux pinning properties of MgB2 superconducting thin films prepared on Al tape substrates by electron beam evaporation
米倉 健志, 藤吉 孝則, 末吉 哲郎 （熊本大）； 土井 俊哉, 西川 隆文 （鹿児島大）
Abstract: MgB2は金属系超伝導体の中で最高の臨界温度を持ち、材料費が安価、弱結合の影響が小さいという特徴から応用に期待が持たれている。低温成膜が可能な電子ビーム蒸着法や分子線エピタキシー法で作製されたMgB2薄膜は比較的高い臨界温度をもち、結晶粒界が主要なピンニングセンターとして作用することが知られている。MgB2結晶は基板に沿ってエピタキシャル成長するため、結晶成長は基板物質により変化することが考えられる。
本研究では、電子ビーム蒸着法でAlテープ基板上にMgB2薄膜を作製し、臨界電流密度の磁場依存性や磁場角度依存性を測定した。また、異なる基板物質上に同様な方法で作製したMgB2薄膜の特性と比較を行い、これらの磁束ピンニング特性について評価した。