Crystal growth and substitution effect in DyBCO bulk superconductor II --- Effect of increasing contents of substituted ion on Jc（B，T） properties ---
菊池 康晃, 内藤 智之, 藤代 博之 （岩手大）
Abstract:REBCO超伝導体バルクの特性向上の手段の一つとして、元素置換によるピン止め中心の導入がある。
CuO2平面のCuサイトのZnやNi置換、CuO鎖のCuサイトのGaやCo置換や、REサイトの他のREイオンの微量置換を行うことで、Jc（B）特性が向上することが報告されている。
前回の学会では、Y系に比べて熱伝導率が低く電流リードなどへの応用に適しているDyBaCuOバルクに着目し、Dyサイトに1.0%までのLa、Pr、Gdを置換したバルクを作製し、50KにおいてJc（B）特性が改善されることを報告した。
本研究では、置換量を2.0%まで増やした時、Jc（B）特性が改善されるかどうかを検討したので報告する。