Analytical model to calculate critical current of a bent Nb3Sn strand
小泉 徳潔, 村上 陽之, 辺見 努, 中嶋 秀夫 （原子力機構）
Abstract:Nb3Sn線を曲げた場合の臨界電流値の劣化を、銅及びブロンズの塑性、フィラメント断線を考慮して計算する解析モデルを開発した。本解析モデルを用いた計算結果と一様に曲げ歪を加えたNb3Snの臨界電流値の測定結果を比較し、解析結果が良く一致することを確認した。これにより、モデルの妥当性を検証した。