Development of RE123 Melt-Solidified Bulks with High Field Trapping Properties by Dilute Impurity Doping
杵村 陽平, 赤坂 友幸, 下山 淳一, 山本 明保, 荻野 拓, 岸尾 光二 （東大）
Abstract:RE123溶融凝固バルクの更なる応用のためには捕捉磁場特性の向上が不可欠である。そのためにはバルクのJc-B特性の改善が必要であり、その有力な方法として希薄不純物ドープによるピンニングセンターの導入が挙げられる。我々はこれまでにCu-O鎖のCuサイトの希薄ドープがTcの低下を伴わないピンニング力の改善手法であり、これによって単結晶や小型溶融凝固バルクにおいてJc-B特性が向上することを報告してきた。以上の背景のもと本研究では、微量のCoまたはGaをドープしたY123溶融凝固バルクの作製を行っており、微量置換がJc-B特性だけでなく捕捉磁場特性の改善にも有効であることを確認した。