DCマグネトロンスパッタリング法で作製したBi2223及び後アニール処理した（Bi，Pb）2223薄膜

Bi2223 thin films prepared by DC magnetron sputtering and post-annealed （Bi，Pb）2223 thin films

和泉竹衛, 土井俊哉, 吉村卓哉, 白樂善則（鹿児島大）；松本明善, 北口仁（NIMS ）

Abstract:Powder-in-tube法により線材が作製可能であることから、長尺のBi2223線材の開発は他の高温超伝導体に比べて進んでいる。しかしながら、Bi2223線材のJ_cは数万A/cm²程度と低い値に留まっており、真に実用線材となるためには更なる特性向上が求められている。我々はBi2223が持つ可能性を調べるため、良質な薄膜の作製に取り組んでいる。今回、DCマグネトロンスパッタリング法を用いてBi2223薄膜を作製したところ、70〜80K程度のT_cしか得られなかった。そこで、Bi2223薄膜をBi＋Pb＋O₂雰囲気中で熱処理することによって、結晶化度を向上させた（Bi，Pb）2223薄膜を作製したところ、T_c ＝105K， J_c （77K， 0T）＝2×10⁵A/cm²と大きな特性改善が見られた。