Angular dependence of critical current density in YBa2Cu3Oy
末吉 哲郎, 西村 太宏, 米倉 健志, 藤吉 孝則, 光木 文秋, 池上 知顯 （熊本大）
Abstract:PLD法で作製したYBa2Cu3Oy薄膜のc軸に対して，重イオンを1〜3方向から照射することで，方向が分散した柱状欠陥を導入し，臨界電流密度Jcへ与える影響について調べた．照射角度が45°の交差した柱状欠陥を導入した試料では，1方向の平行な柱状欠陥を含む試料と比較して，マッチング磁場より高磁場で顕著なJcの減少が見られた．一方，同じ照射量で照射角度が0°，±45°の交差した柱状欠陥では，マッチング磁場以上の高磁場においても高いJcを示した．Jcの磁場角度依存性においては，±45°の交差した柱状欠陥を含む試料では，磁場角度-45°〜45°の範囲でフラットな台形型のピークを示すのに対し，0°，±45°の交差した柱状欠陥では，磁場角度0°を中心のブロードなピークを示した．