Transport critical current properties of tilted MgB2 films synthesized by HPCVD method
山本 明保 （東大）； Putti Marina （Genova 大）； Polyanskii Anatolii, 亀谷 文健, ABRAIMOV Dmytro, GUREVICH Alexander, LARBALESTIER David （NHMFL）； ZHUANG Chenggang, XI Xiaoxing （テンプル大）； 下山 淳一, 岸尾 光二 （東大）
Abstract:MgO（211）基板上にc軸が19度傾いたエピタキシャルMgB2薄膜をHPCVD（Hybrid Physical Chemical Vapor Deposition）法により作製した。この薄膜はチルト方向と垂直に発達した階段状のステップ構造を有し、ステップに対して平行方向にab面のみを流れるJLと、垂直方向にステップをまたいでab面とc軸方向の両方を流れるJTの2種の異方的電流を生じる。シグマ、パイ両バンドが伝導に寄与するJLに対して、JTはシグマバンドが擬2次元的であることに由来して主にパイバンドによって担われると考えられる。本研究では輸送電流測定と磁気光学測定により2種の臨界電流を定量的に評価し、磁束ピンニングとマルチバンド効果がMgB2の輸送臨界電流特性に及ぼす影響について調べた。