Flux pinning properties in YBCO quasi-multilayerd films with BaZrO3 and YSZ
末吉 哲郎, 嶋田 充剛, 油谷 真吾, 茅野 伊三郎, 藤吉 孝則, 光木 文秋, 池上 知顯 （熊本大）
tetsu*cs.kumamoto-u.ac.jp
Abstract:BaZrO3，安定化ジルコニアYSZを擬似層として，その堆積パルス数や多層膜の層数を変えてBaZrO3/YBCO，YSZ/YBCO多層膜をPLD法により作製し，その磁束ピンニング特性について調べた．
第2相物質への堆積パルス数がTcやJcへ与える影響は，YSZを用いた方が小さい傾向にあることを確認した．
BaZrO3/YBCO多層膜においては，超伝導転移温度Tcが低いにも関わらず，YBCO薄膜のJcと比較して高い値を示した．また，臨界電流密度の磁場角度依存性では，全てのBaZrO3/YBCO多層膜において，磁場方向がab面と平行な場合にのみJcのピークを示した．これは導入したBZOがドット状になっており，3次元ピンとしてピンニング作用していると考えられる．