Pinning properties of MgB2 thin films on Ti buffer substrates
米倉 健志, 久郷 梓, 藤吉 孝則, 末吉 哲郎 （熊本大）； 原田 善之 （JSTサテライト岩手）； 吉澤 正人, 池田 健 （岩手大）； 淡路 智, 渡辺 和雄 （東北大）
kenji*st.cs.kumamoto-u.ac.jp
Abstract:金属系超伝導体の中で最高の臨界温度Tcを持つMgB2超伝導体は高温超伝導体に比べ材料費が安価、弱結合の影響が小さいという特徴から応用に期待が持たれている。
その実用化には臨界電流密度の向上が必要となる。MgB2は結晶粒界が主要なピンニングセンターとして考えられているため、その制御が必要不可欠である。
本研究では複数の基板上にTiバッファ層を挿入することでMgB2の結晶粒の大きさを変化させ、結晶粒界の密度を変えることを試みた。
作製した試料に対して磁場中での電界－電流密度特性および臨界電流密度特性の評価を行い、基板やバッファ層の有無、厚さなどの違いを持つ試料間で比較を行った。