Forming of V3Ga phase through the diffusion reaction using V-Ga and Ti-Ga compounds as high Ga content compound source material
菱沼 良光 （NIFS）； 菊池 章弘, 竹内 孝夫 （NIMS ）； 松田 健二 （富山大）； 西村 新 （NIFS）； 谷口 博康, 朝永 満男 （大阪合金）
hishinuma.yoshimitsu*nifs.ac.jp
Abstract:これまでにCu-Ga系の高Ga濃度化合物とV金属母材を用いたV3Ga線材を作製し、均質なV3Ga超伝導相の生成が可能になり、それに伴って臨界磁場が向上した。更なる特性向上を目的にCu-Ga系よりも高Ga濃度組成を持つV-Ga（V2Ga5）、Ti-Ga（TiGa3）系化合物に注目した。これらの化合物とV金属との拡散対の界面にV3Ga相とV6Ga5相が生成し、高い熱処理温度によってV3Ga相の割合が増大する傾向が見られた。また、化合物粉末に微量のCu粉末を添加すると、V3Ga相の割合が増加しCuのV3Ga相の生成促進効果が見られた。生成相と超伝導特性との関連についても調査したので報告する。