Numerical Simulation on Critical Current Degradation of Nb3Sn Strand with Different Cross Sectional Structure in CICC
梶谷 秀樹, 植田 浩史, 石山 敦士 （早大）； 村上 陽之, 小泉 徳潔, 奥野 清 （原子力機構）
sua.taniki.1522*akane.waseda.jp
Abstract:Nb3Sn/CIC導体を用いたモデル・コイル試験の結果、電磁力による素線の局所的な曲げ変形が原因と見られる特性劣化が確認された。そこで、Nb3Sn素線の曲げ変形に対する臨界電流特性を調べるため、分布定数回路を用いた数値解析コードを開発し、これまでに運転条件や素線構造の違いが特性劣化に与える影響について評価を行った。今回はバリア層の素材や素線断面積、銅比など断面構造の異なる素線で実験と解析の比較を行い本解析コードの有用性を確認するとともに、これらの違いがどのように素線の臨界電流特性に影響するのか調査したので報告する。