Flux pinning properties and microstructures of BaZrO3-doped Sm 1＋xBa2-xCu3Oy thin films prepared at various deposited temperatures
尾崎 壽紀, 吉田 隆, 一野 祐亮, 高井 吉明 （名大）； 一瀬 中 （電中研）； 松本 要 （九工大）； 向田 昌志 （九大）； 堀井 滋 （東大）
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Abstract:これまで我々は、低温成膜（LTG）プロセスを用いて作製したLTG-SmBCO薄膜にBaZrO3 （BZO）ナノロッドを導入したLTG-SmBCO＋BZO薄膜を作製してきた。LTG-SmBCO＋BZO薄膜におけるBZOナノロッドは通常のPLD法で作製したBZOナノロッドより、直径が小さく、長さが短くなり、更にSmBCO薄膜のc軸方向に対して斜めに成長することが分かった。本研究では、低い成膜温度でもc軸配向するLTGプロセスを用いることによりさまざまな成膜温度でSmBCO＋BZO薄膜を作製し、成膜温度がSmBCO＋BZO薄膜の超伝導特性やBZOの成長に及ぼす影響を調べた。
成膜温度を800-920 ºCまで、変化させると、成膜温度の低下に伴いTcは91.5 Kから90.5 Kまで低下し、自己磁場Jcは2.9 MA/cm2から1.5 MA/cm2まで低下した。更に、ピンニング力FPの最大値Fp，maxを示す磁場が成膜温度の低下に伴い0.4 Tから2.5 Tに高磁場にシフトした。これらの結果は成膜温度が低下したことにより、核生成頻度の増加やマイグレーション距離の低下し、BZOの密度が増加したことによるものと推察している。当日はTEM観察や、Jcの磁場角度依存性についても議論を行う。