Ba / Sm-Zr-Oを添加したSmBa2Cu3O7-x薄膜の微細構造と磁束ピンニング特性

Flux pinning properties and microstructure in SmBa2Cu3O7-x thin film doped with Ba/Sm-Zr-O


吉田 隆, 一野 祐亮, 滝沢 智生, 高井 吉明 (名大); 一瀬 中 (電中研); 松本 要 (九工大); 向田 昌志 (九大); 堀井 滋 (東大)
yoshida*nuee.nagoya-u.ac.jp


Abstract:最近、REBCO薄膜の磁場中超伝導特性向上のため、BaZrO3などの人工ピンの導入に関する研究開発が行われている。我々はこのようなBa系酸化物人工ピンの研究とともに、蛍石構造を有するSmZrO添加REBCO薄膜の微細構造及び磁束ピニング特性に関して報告してきた。本研究では、磁場印可方向に対する超伝導特性の異方性を制御することを目的としてSmZrOとBaZrOの混合酸化物Ba/Sm-Zr-Oを添加したSmBa2Cu3O7-x薄膜の微細構造と磁束ピンニング特性に関して述べる。微細構造では、混合酸化物Ba/Sm-Zr-O のSm/Ba比の違いによりナノロッドの長さが変化することや連続性に違いが出てくることが確認される。磁場角度依存性などから、混合酸化物Ba/Sm-Zr-O のSm/Ba比の違いにより異方性を制御することが確認された。