Pinning properties of PLD-Y123 and Gd123 coated conductors:comparative study of irradiation introduced columnar defects and BaZrO3 nano-rods
筑本 知子, リー セルゲイ, 衣斐 顕 （SRL）； 宇敷 洋, 寺井 隆幸 （東大）； 田辺 圭一 （SRL）
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Abstract:PLD法Y１２３（又はGd１２３）の高Jc化のためには、BaZrO3（BZO）添加等により形成されるナノロッド状ピン止め中心が有効であることが知られている。しかしながら、BZO添加による方法では、ピン止め中心の形状、密度、方位の制御が困難であり、そのピン止め特性にそれぞれのパラメーターがどのように効いてくるのか明確化しにくい。そこで、本研究では、ピン止め中心の形状、密度、方位等のコントロールが比較的容易な重イオン照射を用いて円柱状アモルファス欠陥を導入し、臨界電流の磁場角度依存性、欠陥密度依存性等について系統的な測定を行った。本発表では、その結果を示すとともに、BZO添加試料の特性との比較・考察を行う。