Jc properties in high magnetic fields for the heavy-ion-irradiated RE123 films
難波 雅史, 淡路 智, 渡辺 和雄 （東北大）； 甲斐 英樹, 向田 昌志 （九大）； 岡安 悟 （原子力機構）
baji*imr.tohoku.ac.jp
Abstract:BaZrO3に代表されるナノロッドの導入は，REBa2Cu3Oy（RE123）膜のB//c方向の臨界電流密度（Jc）を向上させることから，柱状欠陥導入薄膜のピンニング特性の関心が高まっている．RE123膜は柱状欠陥密度に対応したマッチング磁場以上の高磁場領域の応用が期待されている．本研究では，マッチング磁場1， 0.1 T相当のAuイオンを照射したRE123膜について，17 Tまでの高磁場領域でJcの磁場，温度，磁場印加角度依存性を評価した．マッチング磁場1 Tの試料において，柱状欠陥に関連したJcの角度依存性のピークは60 K， 17 Tの高磁場においても存在した．すなわち，柱状欠陥はマッチング磁場よりはるかに高い高磁場領域においても有効に働くと示唆される．