Angular dependences of critical current densities in YBCO thin films with various aligned columnar defects
末吉 哲郎, 油谷 真吾, 藤吉 孝則, 光木 文秋, 池上 知顯 （熊本大）； 知見 康弘, 石川 法人 （原子力機構）
tetsu*cs.kumamoto-u.ac.jp
Abstract:PLD法によるYBCO薄膜の作製において，容易に1次元ピンを導入できることから，そのピンニング特性に関心が高まっている．本研究では，重イオン照射の照射方向を制御して，複数の傾きをもった柱状欠陥をYBCO薄膜に導入し， その臨界電流密度の磁場角度依存性について調べた．
臨界電流密度の高磁場特性は，一方向に重イオン照射した試料において最も高い値を示した．
一方，臨界電流密度の磁場角度依存性においては，照射方向に現れるJcのピークの幅は，照射方向の交差角度が大きい試料ほど，広い傾向を確認した．
またJcのピークの幅は，照射量に関連した磁場（マッチング磁場）まで一定の値を示すことがわかった．