Effect of Indium addition on MgB2 particle-dispersed Al based composite materials.
水谷 学, 松田 健二, 西村 克彦, 川畑 常眞 （富山大）； 菱沼 義光 （NIFS）； 青山 茂樹 （日軽新潟）； 池野 進 （富山大）
ikenolab*eng.u-toyama.ac.jp
Abstract:本研究室ではこれまでに、MgB2粒子を純Al中に分散させた複合材料を作製し、作製した複合材料が39Kの超伝導転移温度（Tc）を持つことを報告している。
今回、母相の純AlにInを添加することで臨界電流密度（Jc）の改善が確認された。また、これらの複合材料の電子顕微鏡による組織観察も行ったので、これらの結果について報告する。