RF-Sputter法によるRe-123系線材用CeO2中間層の開発 (3)
- IBAD-MgO基板上のCeO2中間層の成膜 -

Development of CeO2 buffer layer for coated conductors by RF-Sputtering(3)
- Deposition of CeO2 buffer on IBAD-MgO substrate -


中西 達尚, 小泉 勉, 青木 裕治, 長谷川 隆代 (昭和電線); 飯島 康裕, 齊藤 隆 (フジクラ); 吉積 正晃, 高橋 保夫, 和泉 輝郎, 塩原 融 (SRL)
t.nakanishi508*cs.swcc.co.jp


Abstract: 長尺線材のさらなる低コスト化を目指し、IBAD-MgO層を含む金属基板上のCeO2中間層の長尺成膜の検討を行っている。100mの連続成膜では、条件を最適化することにより全長にわたり結晶配向性、表面平滑性などの特性が良好であることが確認できた。詳細は当日報告する。