Angular dependences of critical current densities in YBCO thin films with crossed columnar defects
末吉 哲郎, 十河 雄大, 米倉 健志, 足立 明隆, 藤吉 孝則, 光木 文秋, 池上 知顯 （熊本大）； 石川 法人 （原子力機構）； 淡路 智, 渡辺 和雄 （東北大）
tetsu*cs.kumamoto-u.ac.jp
Abstract:PLD法によるYBCO薄膜の作製において，Baを含むペロブスカイト構造の酸化物を混入することにより容易に1次元ピンを導入できることから，そのピンニング特性に関心が高まっている．本研究では，重イオンの照射方向を制御することで，交差した1次元ピンをYBCO薄膜に導入し， その臨界電流密度の磁場角度依存性について調べた．臨界電流密度の磁場角度依存性において，交差角が小さい試料では，7Tまでの磁場範囲で照射方向付近に一つのピークのみ現れた．一方，交差角が±45度の試料では，低磁場において一つのピークであるが，マッチング磁場付近においては照射方向±45度で二つのピークに変化した．