Improvement of superconducting properties on （Nd，Eu，Gd）Ba2Cu3Oy thin films by introducing BaZrO3 artificial dots
一野 祐亮, 吉田 隆, 井上 晃一, 尾崎 壽紀, 高井 吉明 （名大）； 松本 要 （九工大）； 向田 昌志 （九大）； 喜田 隆介 （静岡大）； 一瀬 中 （電中研）； 堀井 滋 （東大）
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Abstract:これまで、低温成膜 （LTG） 法で作製した（Nd，Eu，Gd）Ba2Cu3Oy （NEG）薄膜が従来のPLD法で作製した薄膜よりも磁場中で高いJcを示すことを報告してきた。本報告では、LTG-NEG薄膜の更なる磁場特性向上を目指し、BaZrO3（BZO）を添加し、磁場中特性に与える影響について検討を行った。2 vol.%のBZOを添加したLTG-NEG薄膜は、5 T以下の低磁場において、BZOなしのLTG-NEG薄膜よりも高いJcを示した。また、最近新たに開発した、LTG-NEG＋BZO薄膜の成長途中に人工的にBZOドットを加えるmodified-LTG （mLTG）法を用いることで、Jcの磁場印加角度依存性において、B//cのJcが従来の無添加LTG-NEGに比べて2倍程度まで向上することが明らかになった。以上に加えて、当日はmLTG法によるJc向上のメカニズムについてもその微細組織から考察を行う。