The dimentional flux pinning properties of MgB2/Ni multilayered films prepared by electron beam evapolation
米倉 健志, 梶田 龍, 清山 輝彦, 末吉 哲郎, 藤吉 孝則 （熊本大）； 土井 俊哉 （鹿児島大）； 北口 仁 （NIMS）； 淡路 智, 渡辺 和雄 （東北大）
kenji*st.cs.kumamoto-u.ac.jp
Abstract:金属系超伝導体の中で最高の転移温度を持つMgB2は材料費が安価であることや弱結合の影響が小さいことから応用に期待が持たれている。超伝導体を応用する際には磁場中での臨界電流の向上が必要ちなる。本研究では電子ビーム蒸着法によって作製された、Ni層を導入したMgB2多層膜の磁場中での電流−電圧特性及び臨界電流密度の評価を行い、同様の方法で作製された純粋なMgB2薄膜との比較を行った。また、パーコレーション遷移モデルを用いて2次元ピンニング特性の解析を行った。