Jc-B characteristics of alternately-layered MgB2/Ni thin films
土井 俊哉 （鹿児島大）； 北口 仁 （NIMS）； 日高 祐貴, 白樂 善則 （鹿児島大）； 高橋 健一郎 （NIMS）
doi*eee.kagoshima-u.ac.jp
Abstract:電子ビーム蒸着法と同軸型真空アーク蒸着法により，MgB2/Ni多層膜を作製した。基板温度250℃で，MgB2層を16又は20，34nm形成した後，Ni層を1nm形成した。これを繰り返し，トータル厚さ約300nmの３種類のMgB2/Ni多層膜を作製した。MgB2単層膜に磁場を印加しながらJcを測定した場合，柱状結晶がピンニングセンターとして働くために膜面に垂直に磁場を印加したときのJc（⊥）の方が平行に印加したときのJc（//）よりも高いが，多層膜ではほぼ全磁場領域でJc（//）＞Jc（⊥）であった．また，4.2Kで多層膜に平行に6Tの磁場を印加したときのJcは，1ｘ10E6A/cm2を越える非常に高い値を有していた．Jcと印加磁場から体積ピン力Fpを計算して，印加磁場に対してプロットすると，ことなる印加磁場で明瞭なピークを示した．以上の結果は，MgB2薄膜に挿入したNi層がピンニングセンターとして有効に働いていることを示している。