The fabrications of IBAD-MgO substrate by reactive direct current sputter deposition.
福島 弘之, 宮田 成紀, 衣斐 顕, 栗木 礼二, 木下 晶雄, 山田 穣, 吉積 正晃, 塩原 融 （SRL）
h-fukushima*istec.or.jp
Abstract:我々はDCリアクティブスパッタを用いたIBAD-MgO基板の開発を行い、150 m/h の高速でIBAD-MgO層を成膜した。基板構造は次の通り。Hastelloy/GZO/IBAD-MgO/LMO/CeO2。50mダミーハステロイに5箇所サンプル基板を入れ込み成膜するパッチ試験を実施し、CeO2上で⊿φ～10°の基板を作製。その上に、2.0μm厚のGdBCO成膜を行った。10cm区間Ic ～ 220-285 A/cmを得られ、5箇所全てIc＝200A/cm （Jc＝1MA/cm2） を超えることを確認した。平均Icは250A/cm。また、CeO2上⊿φ～7°の基板を用いた短尺成膜ではIc＝351A/cm（Jc＝1.0MA/cm2）も得られている。本基板開発におけるIBAD-MgO層及びPLD-CeO2層との橋渡しをするRFスパッタLMO層の詳細について報告する。