Improvement of critical current properties of Bi（Pb）2223 by dilute RE doping
滝本 孝太, 下山 淳一, 影島 慶明, 荻野 拓, 堀井 滋, 岸尾 光二 （東大）
tt076692*mail.ecc.u-tokyo.ac.jp
Abstract:最近、我々はBi（Pb）2223焼結体においてSrサイトへの0.5%程度のNdの希薄ドープによって臨界電流特性が向上することを見出した。特に20～50 K付近における不可逆磁場の改善は従来磁場に弱いとされてきた実用Bi系材料のさらなる高特性化を意味する。引き続き本研究では、Bi（Pb）2223焼結体に対して様々な軽希土類元素の希薄ドープを行い最適なREの探索とドープ量の検討を行っている。線材プロセスまたは磁場配向プロセスによるBi（Pb）2223ｃ軸配向体の作製を試みた結果も併せて報告する予定である。