The Low-resistance Multi-parallel-connected MOSFET’s with HTS Tapes
根本 薫, 渡辺 英司, 菊川 和雅 （JR東海）
k.nemoto*jr-central.co.jp
Abstract:MOSFETは素子の並列接続および液体窒素温度への冷却により、スイッチ-オンの抵抗を小さくできることが知られている。我々は各種の超電導磁石への適用を念頭に、多数の素子を並列接続したものに更に高温超電導線を添えて低抵抗化することを試みた。本発表では、試作した並列接続MOSFETの構成および試験結果について紹介する。