Strong flux pinning in YBCO thin films due to nanometer-sized precipitates （2）: Theoretical analyses based on a linear summation of the core pinning interaction and an anisotropic GL approximation
山崎 裕文, 大木 康太郎, 山田 博, 中川 愛彦, 馬渡 康徳 （産総研）
h.yamasaki*aist.go.jp
Abstract:直径が 6-25 nm 程度で比較的大きい析出物を含む薄膜では、Jc（θ） でｃ軸を中心としたブロードなピークが現れるが、直径が 7 nm 以下の非常に小さい析出物を含む薄膜では、ab 平面中心の富士山型の Jc ピークが観測されることを述べた。後者は、ランダムピンと呼ばれていて、異方性パラメーター ε（θ） ＝ [（cosθ）^2 ＋ （sinθ）^2/γ^2]^（1/2） を用いて、Jc（H， θ） ＝ Jc（εH） と、Jc の磁界角度依存性がεH の関数として表現できることが知られていたが、その理由や関数形は分かっていなかった。今回、ナノ析出物のサイズの違いで磁界依存性が異なることを、ピン止めの核相互作用の線形和と角度に依存するコヒーレンス長ξ（θ） を用いて説明することが出来た。理論解析で計算される Jc 値と実際に観測された Jc 値とは、合理的な一致を得た。