Carrier optimally-doped states in RE123 and Bi-based superconductors（2）
下山 淳一, 山﨑 裕也, 影島 慶明, 滝本 孝太, 加來 宏一, 荻野 拓, 堀井 滋, 岸尾 光二 （東大）
shimo*sogo.t.u-tokyo.ac.jp
Abstract:我々はRE123、Bi系超伝導体において、金属組成が定比に近い場合には最適キャリアドープ状態が最も良好な臨界電流特性を与えることをこれまでに示してきた。今回は金属組成の不定比量、およびキャリアドープ状態を変数として臨界電流特性およびその温度依存性の解釈を実験データに基づいて行う。