RF-Sputter法によるRe-123系線材用CeO2中間層の開発

Development of CeO2  buffer layer for coated conductors by RF-Sputtering


中西 達尚, 小泉 勉, 兼子 敦, 青木 裕治, 長谷川 隆代 (昭和電線); 飯島 康裕, 齋藤 隆 (フジクラ); 高橋 保夫, 和泉 輝郎, 塩原 融 (SRL)
t.nakanishi508*cs.swcc.co.jp


Abstract: Re-123系線材の作製において、CeO2中間層の役割は重要である。一般にCeO2中間層の成膜は、IBAD-GZO基板上にPLD法で行われる。我々は、イニシャルコストおよびランニングコストに注目してRF-Sputter法によるCeO2膜の検討を始めた。その結果、Reel to reel プロセスを用いた長尺CeO2膜の成膜が可能であり、PLD法と同様に自己配向することを確認した。本報告では、自己配向に係わる検討の結果と100m級中間層の開発結果について報告する。