Flux pinning properties and microstructure in SmBa2Cu3Oy thin film doped with Sm2Zr2O7
滝沢 智生, 吉田 隆, 一野 祐亮, 高井 吉明 （名大）； 一瀬 中 （電中研）； 松本 要 （九工大）； 堀井 滋 （東大）； 向田 昌志 （九大）
t-morikawa*ees.nagoya-u.ac.jp
Abstract:REBa2Cu3Oy（REBCO）膜内に人工ピンニングセンタを導入することで、磁場中における臨界電流密度（Jc）が飛躍的に向上することが知られている。その中でもBaZrO3 （BZO）ナノロッドはc軸相関ピンとして非常に有効であり、その成長機構について盛んに研究が行われている。本研究では、BZOがREBCOと同様にBaO面を持つことに注目し、新しい磁束ピンニング材料としてRE面を持つSm2Zr2O7 （SmZrO）を添加したSmBCO薄膜をMgO基板上に作製し、その微細構造と磁束ピンニング特性を調べた。得られた薄膜の超伝導特性は、Tc＝91.5 K， Jc＝1.8 MA/cm2を示し、さらにB＝1TにおけるJcの磁場角度依存性は、Jc （B//c）/Jc （90°）が、PLD-SmBCOのその値に比べ約1.2倍となる。また、断面TEM像からSm-rich， Ba-poorな組成の約20 nm程度の粒状の析出物が観察できた。当日は、SmZrO、及びBZOを導入したREBCO薄膜の微細構造を比較検討する予定である。