Evaluation of Jc distribution of Nb films with asymmetric artificial pinning centers by using Bean model
何 継方, 原田 直幸, 内藤 裕志, 松村 直也, 浅田 裕法 （山口大）； 石橋 隆幸 （長岡技科大）
jifanghe*yamaguchi-u.ac.jp
Abstract:第二種超伝導体の臨界電流密度は、量子化磁束とピンニングセンターの相互作用によって決定される。これまで、微細加工により超伝導Nb膜に電流の流れる方向に対して垂直な断面の形状がステップ状となる非対称な人工ピンニングセンターを導入し、MOイメージング法で人工ピンの非対称な形状により磁束の出入りが非対称になることを明らかにした。本報告では、非対称な人工ピンを導入したNb膜の臨界電流密度分布について、ビーンモデルを用いて評価を行う。