Fabrications of IBAD-MgO substrate （2） -Rapid fabrication of LMO layer-
福島 弘之, 宮田 成紀, 吉積 正晃, 衣斐 顕, 栗木 礼二, 山田 穣, 和泉 輝郎, 塩原 融 （SRL）
h-fukushima*istec.or.jp
Abstract:我々はIBAD-MgO基板の低コスト製造技術開発を行っている。基板構造はHastelloy/GZO/IBAD-MgO/LMO/CeO2である。前回、IBAD-MgO層及びPLD-CeO2層との橋渡し役として薄膜LMO層が必要であることを報告した。この時、LMO層の製造速度は30 m/hであった。更なる低コスト製造技術開発が必要とされるため、LMO層の製造速度向上を試みた。スパッタ方式を従来のRFから成膜レート向上が期待されるDCに切り替えた結果、従来比２倍以上となる、75 m/h まで製造速度を上げることが出来た。そこで、LMO層成膜の高速化の詳細について報告する。