Growth mechanism and pinning effect of Ba（Er0.5 Nb0.5）O3 nanorods in ErBa2Cu3O7-d films
甲斐 英樹 （九大）； 堀井 滋 （首都大）； 一瀬 中 （電中研）； 山田 和広 （九大）； 喜多 隆介 （静岡大）； 吉田 隆 （名大）； 松本 要 （九工大）； 寺西 亮, 森 信幸, 向田 昌志 （九大）
kai*zaiko10.zaiko.kyushu-u.ac.jp
Abstract:REBa2Cu3O7-d系超伝導薄膜の磁場中での臨界電流密度（JC）向上を目的として、膜中への人工ピンの導入が行われている。これまでc-軸相関ピンとして柱状欠陥（ナノロッド）を導入した研究が多数報告されているが、そのサイズや分布密度の詳細な制御は未だ報告されていない。そこで我々は、PLD法を用いて様々な成膜条件下でBaNb2O6（BNO）ドープErBCO薄膜を作製した。組織観察の結果、ナノロッドの直径、密度及び成長方向は成膜時の温度やドープ濃度に大きく依存することがわかった。本研究では、成膜条件の異なる試料の組織観察結果を比較することでナノロッドの成長機構について考察し、その組織変化に伴う超伝導特性への影響を明らかにした。