末吉 哲郎				, 	高橋 献一		, 	佐藤 直哉		, 	渡邊 昌孝		, 	春田 正和		, 	藤吉 孝則		, 	宮原 邦幸		, 	池上 知顯		, 	蛯原 健治	(熊本大);宮川 隆二	(熊本県工技センター)
		tetsu*cs.kumamoto-u.ac.jp		
	
Abstract: YBa2Cu3O7-δにおいて高磁場における臨界電流密度Jcを向上させるために,Cuサイトの一部を3d遷移金属元素Znで置換する方法により人工ピン導入を試みた.試料はZnOナノ粒子をYBCO上へ形成するように,パルスレーザー蒸着法(PLD法)によりZnO/YBa2Cu3O7-δ多層膜を作製することで,CuサイトへのZn置換を行った.作製した試料の原子間力顕微鏡(AFM)による表面観察,X線回折(XRD)による結晶構造の評価,および磁束ピンニング特性を測定した。