山口 俊輔 , 吉田 隆 , 一野 祐亮 , 高井 吉明 （名大）；和泉 輝郎 , 塩原 融 （SRL）；高橋 保夫 , 青木 裕治 （昭和電線）
s-yamaguchi*ees.nagoya-u.ac.jp
Abstract: REBCO薄膜などの高温超伝導体をマグネット用の線材に応用するためには、高磁場下での高い臨界電流密度（Jc）が必要である。我々は、低温成膜（LTG）法で作製したSmBCO薄膜が高磁場下においてもNb-Ti（@4.2K）に匹敵するJcを示すことを報告してきた。本研究ではコストの面から、IBAD法による金属基板より安価に基板作製できる配向Ni-W合金基板を基板に選定し、磁場中での超伝導特性の向上を目的とした。そして、配向Ni-W合金基板上に同様にしてLTG-Sm1＋xBa2-xCu3Oy薄膜を作製し、低磁場におけるJcの向上と、それに伴い高磁場におけるJcの向上にも成功した。また、LTG法を用いることで結晶粒径が小さくなり、結晶粒密度の向上が確認された。以上から、結晶粒密度の向上により低磁場下で有効な磁束ピンニング点である転位が増加し、転位密度の増加により磁場中Jcが向上したと考えられる。本研究は超電導応用基盤技術研究体の研究として、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の委託を受けて実施したものである。