IBAD用基板第1バッファ層の検討
Investigation of the first buffer layer for IBAD substrate

栗木 礼二 , 宮田 成紀 , 福島 弘之 , 衣斐 顕 , 山田 穣 , 塩原 融 (SRL)
kuriki*istec.or.jp


Abstract:  IBADはMgOを使うと高速化できることで最近注目されているが、そのためには配向性MgO層と同時にハステロイ直上の酸化物第1バッファ層も重要である。このため、その候補としてAl2O3, YSZ,CeO2,MgOなどを選び、同時に蒸着製法としてスパッタ、PLDを用いて、最適バッファ層の検討を行った。特に、超電導特性を劣化させるハステロイからのNiの拡散に注目し、また、表面粗さ、さらには線材作製速度も比較検討した。