磁束線可逆運動が第3高調波電圧発生に及ぼす影響
Effect of Reversible Fluxoid Motion on appearence of Third-harmonic Voltage

二村 宗男 (秋田県立大);吉田 貴昭 , 木内 勝 , 小田部 荘司 , 松下 照男 (九工大);小西 哉 (信州大);宮田 成紀 , 衣斐 顕 , 山田 穣 , 塩原 融 (SRL)
futamura*akita-pu.ac.jp


Abstract:  超伝導薄膜の臨界電流値を評価する手法の1つとして第3高調波電圧誘導法があるが,膜厚が非常に薄い場合は磁束線可逆運動の影響を考慮する必要がある.磁束線可逆運動を表すものとして従来はCampbellモデルが提案されていたが,それでも第3高調波発生の実測値を説明することはできない.本研究では磁束線可逆運動を表現する解析モデルを提案し,これによって第3高調波電圧の発生と磁束線可逆運動の影響について考察を行った.