[00l]傾角粒界におけるBi2212薄膜の臨界電流特性
Critical current characteristics of Bi2212 thin films with [00l] tilt grain boundaries

高橋 健一郎 , 北口 仁 , 松本 明善 , 熊倉 浩明 (NIMS);川端 大嗣 , 土井 俊哉 , 白樂 善則(鹿児島大)
TAKAHASHI.Kenichiro*nims.go.jp


Abstract:  Bi系超伝導線材のような多結晶体において,その臨界電流密度特性は粒界の特性に強く依存する事が知られている.しかしながら,Bi系超伝導体における粒界の特性についてはY系などと比較してあまり研究されていない.今回,我々はBi系超伝導体における粒界の臨界電流特性を詳細に調べるため,Bi2212バイクリスタル薄膜を作製し臨界電流密度の測定を行った.粒界の臨界電流密度は傾角が大きくなると減少する事が確認できた.当日は粒界,及び,粒内の臨界電流密度特性の磁場依存性,温度依存性についても報告する.