Abstract:　 第二種超伝導体の臨界電流密度は、量子化磁束とピンニングセンターの相互作用によって決定される。微細加工により人工的にピンニングセンターを導入する方法を用いると、超伝導膜の臨界電流密度特性を変化させることも可能である。本研究では、ローレンツ力に対して非対称に作用する非対称な人工ピンニングセンターを導入した超伝導Nb膜を試作し、ピン止め特性や臨界電流密度特性について理論解析を行った。